À medida que a tecnologia de semicondutores avança para processos de fabricação de 5 nanômetros, 3 nanômetros e ainda menores, o desempenho e a integração dos chips estão se tornando cada vez mais superiores. Durante esse processo, a tecnologia de embalagem de semicondutores, como etapa final na fabricação de chips, tornou-se cada vez mais importante.
A precisão dos moldes de embalagem de semicondutores determina diretamente o rendimento e o desempenho da embalagem de chips. E a tecnologia de usinagem por descarga de corte lento, com sua precisão de nível micrométrico e capacidade de processar contornos complexos, está desempenhando um papel cada vez mais crucial neste campo.
A usinagem por descarga elétrica de fio lento é uma tecnologia de processamento sem contato que usa um fio de metal como eletrodo e gera altas temperaturas por meio de descarga pulsada para derreter ou gaseificar o material da peça. Ao contrário do processamento mecânico tradicional, ele não produz força de corte durante o processamento, tornando-o particularmente adequado para o processamento de peças de molde de alta dureza e formatos complexos.
Sua principal vantagem reside na capacidade de atingir precisão de processamento em nível micrométrico. A usinagem de descarga elétrica de fio lento geralmente usa um fio de latão descartável ou fio galvanizado como eletrodo, com uma velocidade de movimento de fio relativamente lenta, normalmente variando de vários milímetros a vários metros por segundo. Isso torna o processo de processamento mais estável e permite maior acabamento superficial e precisão dimensional.
Os requisitos de processamento para moldes de embalagens de semicondutores são extremamente rigorosos. Por exemplo, a folga entre o punção e a matriz do molde da estrutura de chumbo geralmente precisa ser controlada dentro de alguns mícrons, e o requisito de rugosidade da superfície é Ra ≤ 0,8 μm. Somente a tecnologia de usinagem por descarga elétrica de fio lento pode atender simultaneamente a esses requisitos e se tornou um método de processo indispensável para a fabricação de moldes para embalagens de semicondutores.
Na fabricação de moldes para embalagens de semicondutores, a aplicação da tecnologia de corte lento de fio percorre todo o processo, desde o projeto até a conclusão. Para moldes de estampagem de estrutura de chumbo, esta tecnologia pode produzir punções e matrizes com formatos complexos e precisão extremamente alta, garantindo a precisão do espaçamento e posição dos pinos da estrutura de chumbo.
O processamento de moldes de embalagens plásticas também depende do corte lento do fio. As cavidades dos moldes de embalagens plásticas exigem acabamento superficial extremamente alto para reduzir a resistência ao fluxo do plástico e garantir a qualidade da aparência da embalagem de chips. O corte lento do fio pode obter efeitos de processamento espelhados, com rugosidade superficial atingindo Ra ≤ 0,4 μm, atendendo aos requisitos de moldes de embalagens plásticas de alta qualidade.
Com o aumento na integração de chips e a redução contínua dos tamanhos das embalagens, os requisitos de precisão do molde também aumentaram. Por exemplo, o processamento de microfuros de moldes de embalagem de grade esférica, com diâmetros de furo possivelmente inferiores a 0,1 milímetros e uma relação profundidade-diâmetro superior a 10:1, apenas a tecnologia de corte lento de fio pode completar uma tarefa de processamento tão desafiadora.
Em resposta à tendência da indústria de semicondutores de avançar para tamanhos maiores e maior precisão, a tecnologia de corte lento de fios tem feito avanços inovadores continuamente. Ao processar moldes de embalagens de grande porte, as técnicas tradicionais encontram problemas como fornecimento insuficiente de fluido de trabalho entre eletrodos e dificuldade em descarregar os produtos gravados, resultando em baixa eficiência de processamento e baixa qualidade superficial.
Para enfrentar esses desafios, os mais recentes avanços tecnológicos incluem um sistema multicanal de fornecimento de fluido adaptativo de alta pressão e um dispositivo de remoção de cavacos assistido por pressão negativa. Essas inovações garantem que a taxa de penetração do fluido de trabalho entre eletrodos seja ≥ 95% ao processar peças de espessura ultra-alta de 1.000 milímetros ou mais, mantendo efetivamente um ambiente de descarga estável.
Ao mesmo tempo, a aplicação da nova tecnologia de placa de alimentação melhora significativamente a eficiência do processamento. A placa de fonte de alimentação com uma estrutura de rede condutora topológica tridimensional aumenta a uniformidade da densidade de corrente em 62% e ainda mantém uma estabilidade de precisão de ± 0,001 milímetros durante o processamento contínuo. Esta inovação reduz em 40% o tempo de corte para moldes complexos e reduz o desgaste do eletrodo para 1/3 do processo tradicional.
Com a crescente demanda por processamento de moldes para embalagens de semicondutores, os fabricantes de equipamentos lançaram modelos dedicados. A máquina de usinagem por descarga elétrica SG8P da Mitsubishi Electric foi projetada especificamente para atender aos requisitos de processamento da indústria de embalagens de semicondutores.
Este modelo é equipado com condições de processamento específicas para moldes de semicondutores, adiciona circuitos de processamento fino de superfície de embalagem de semicondutores de alta qualidade e é configurado com um sistema de circulação de fluido de processamento dedicado. Ele pode ser otimizado para diferentes moldes de embalagem, reduzindo o tempo de processamento e melhorando a qualidade do processamento e criando uma superfície de processamento de alta qualidade mais adequada para moldes de embalagem de semicondutores.
Além disso, o surgimento de máquinas de corte de fio não metálico expandiu ainda mais o escopo de aplicação da tecnologia de corte lento de fio. O corte de fio tradicional depende de materiais condutores, enquanto as máquinas de corte de fio não metálico quebram essa limitação e podem processar materiais semicondutores essenciais, como carboneto de silício e cristais de silício.
Esses dispositivos adotam um design de base de fundição grande e amplo de alta rigidez, melhorando efetivamente a estabilidade e a precisão do processamento, e a velocidade de corte é 300% a 600% maior que a geração anterior. Isso fornece mais opções de materiais e flexibilidade de processo para a fabricação de moldes para embalagens de semicondutores.
Embora a tecnologia de usinagem por descarga elétrica de fio lento tenha feito progressos significativos no processamento de moldes de embalagens de semicondutores, ela ainda enfrenta muitos desafios. À medida que a tecnologia de embalagem de chips continua a se desenvolver, os requisitos de precisão e complexidade do molde continuarão a aumentar, o que exige que a tecnologia de corte de fio se desenvolva em direção a maior precisão e maior eficiência.
Os principais gargalos técnicos atuais incluem o fornecimento insuficiente de fluido de trabalho entre eletrodos durante cortes de alta energia e alta espessura, bem como a dificuldade em descarregar oportunamente os produtos de gravação. Para peças de espessura ultra-alta acima de 1.000 milímetros, o processo existente não pode atender totalmente aos requisitos de precisão e eficiência da indústria de semicondutores.
No futuro, a tecnologia de corte lento de fios se desenvolverá na direção da inteligência e da integração. Espera-se que os produtos da próxima geração sejam equipados com um sistema de regulação de corrente com autoaprendizagem, que pode otimizar automaticamente a rede condutora de acordo com os parâmetros de processamento. Ao mesmo tempo, a introdução da tecnologia de revestimento biodegradável permitirá que o painel de potência se decomponha naturalmente, resolvendo os problemas ambientais na indústria de processamento de precisão.
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